ترانزیستور ماسفت IRF840 کانالN

ترانزیستور ماسفت IRF840 کانالN

قیمت اصلی: ۱۲۵,۰۰۰ تومان بود.قیمت فعلی: ۹۵,۰۰۰ تومان.

موجود در انبار

کد محصول: 022-01-16

ماسفت ارجینال N,500V,32A,125W-IRF840

  • نوع ماسفت: N-Channel
  • حداکثر ولتاژ درین-سورس (VDS): 500 ولت
  • داکثر جریان پیوسته درین (ID): 8 آمپر
  • حداکثر جریان پیک درین (ID): 32 آمپر
  • توان : 125 وات در دمای 25 درجه سانتی‌گراد

توضیحات

ترانزیستور ماسفت IRF840 کانالN

ترانزیستور ماسفت IRF840 کانالN با ولتاژ کاری حداکثر 55 ولت، جریان کاری حداکثر 49 آمپر و قدرت 150 وات می باشد. این ماسفت در پکیج TO-220 عرضه می‌شود. این ترانزیستور ماسف از کیفیت خوبی برخوردار است و به طور گسترده در صنایع الکترونیک قدرت، و قدرت بالا، تغذیه سوئیچینگ، درایو موتور و دستگاه‌های الکترونیکی دیگر استفاده می‌شود.

ترانزیستور ماسفت در واقع مخفف کلمات metal–oxide semiconductor field effect transistor می باشد. و معروف ترین ترانزیستور اثر میدان در مدارهای الکترونیک آنالوگ و دیجیتال است. اصطلاح «اکسید-فلز» را نباید به اشتباه «اکسیدِ فلز» خواند.

و دلیل این نام گذاری این است. که در ساختمان این ترانزیستور، یک لایۀ اکسیدِ سیلیسیوم (SiO2) در زیر اتصال فلزیِ پایۀ گِیت قرار می گیرد.

در مدارهای الکترونیکی، ترانزیستور اثر میدان (FET) را با سه پایه به نام های گِیت (Gate)، دِرِین (Drain)، و سورس (Source) در نظر می گیرند. در این ترانزیستور، گیت (پایهٔ کنترلی)، جریانی نمی کشد. و چنان که از نام ترانزیستور پیداست، تنها با اعمال ولتاژ و ایجاد میدان الکتریکی درون نیمه رسانا، جریان عبوری از FET کنترل می شود.

و از همین روی، وقتی گیت به عنوان ورودی این ترانزیستور ماسفت در نظر گرفته می شود، هیچ اثر بارگذاری بر روی طبقات قبلی خود در مدار نمی گذارد و ترانزیستور در این حالت امپدانس ورودی بسیار بالایی دارد. و عمده تفاوت ماس فِت با ترانزیستور JFET در این است.

که گیت ترانزیستورهای ماس فِت توسط لایه ای از اکسید سیلیسیم (SiO2) از کانال مجزا می شود. به این دلیل به ماس فِت ها، فِت با گیت مجزا (به انگلیسی: IGFET, Insulated Gate FET) نیز گفته می شود.

این ترانزیستور ماسفت  MOSFET IRFZ840 عمدتا در مدارهای تقویت کننده سیگنال کوچک مانند BJT یا IGBT استفاده می‌شود. و هنگامی که ترانزیستور هدایت پایین جریان الکتریکی را با مدار تقویت کننده ترکیب می‌کند. تبدیل به یک سوئیچ حالت جامد ایده آل می‌شود.
که برای بسیاری از کاربردهای الکترونیک قدرت مناسب است. با فعال و غیرفعال کردن ترمینال گیت به سادگی روشن و خاموش می‌شود. و یک سیگنال ولتاژ ثابت + Ve i / p در سراسر ترمینال‌های گیت و امیتر، دستگاه را در حالت فعال نگه می‌دارد. در حالی که قصد سیگنال ورودی باعث می‌شود که آن را خاموش مشابه باترانزیستور BJT یا ترانزیستور ماسفت MOSFET کند.
ماسفت IRFZ48N یک ماسفت قدرت از نوع N-Channel با ساختار HEXFET است که در پکیج TO-220 عرضه می‌شود. این ماسفت برای کاربردهای عمومی سوئیچینگ و تقویت‌کننده در ولتاژها و جریان‌های متوسط طراحی شده است. و به دلیل مقاومت در حالت روشن پایین، سرعت سوئیچینگ بالا و پایداری حرارتی، در مدارهای منبع تغذیه سوئیچینگ، درایورهای موتور و سایر کاربردهای قدرتی مورد استفاده قرار می‌گیرد.

مشخصات فنی ترانزیستور ماسفت IRF840

  • نوع ماسفت: N-Channel
  • پکیج: TO-220
  • حداکثر ولتاژ درین-سورس (VDS): 500 ولت
  • حداکثر ولتاژ گیت-سورس (VGS): ±20 ولت
  • حداکثر جریان پیوسته درین (ID): 8 آمپر در دمای 25 درجه سانتی‌گراد
  • حداکثر جریان پیک درین (ID): 32 آمپر
  • مقاومت در حالت روشن (RDS(on)): 0.75 اهم در VGS = 10 ولت
  • ولتاژ آستانه گیت (VGS(th)): 2.0 تا 4.0 ولت
  • توان تلفاتی (PD): 125 وات در دمای 25 درجه سانتی‌گراد
  • دمای کاری: -55 تا +150 درجه سانتی‌گراد
  • بار گیت کل (Qg): 63 نانوکولن
  • زمان بازیابی معکوس دیود (trr): 460 تا 970 نانوثانیه
  • ولتاژ دیود بدنه (VSD): حداکثر 2.0 ولت در جریان 8 آمپر
  • 022-01-16

مشخصات

  • گارانتی: ضمانت اصالت کالا