ترانزیستور D880 نوع NPN پکیج TO-220

توضیحات

ترانزیستور D880 نوع NPN پکیج TO-220

ترانزیستور D880 نوع NPN پکیج TO-220 جزو گروه نیمه هادیهای BJT یا ترانزیستور تک پیوندی، طبقه بندی می گردد. این محصول ساخت برند شرکت on Semiconductor می باشد. ترانزیستور D880 از نوع NPN با جریان بیشینه کلکتور 3 آمپر و ولتاژ شکست کلکتور- امیتر 60 ولت می باشد. دیگر اینکه ولتاژ اشباع کلکتور- امیتر 4 ولت در جریان بیس 3.2 آمپر و جریان کلکتور 16 آمپر می باشد. ترانزیستور D880

جریان شکست کلکتور آن 10 میلی آمپر، گین جریان DC 15 در جریان کلکتور 8 آمپر و ولتاژ کلکتور – امیتر 4 ولت با توان بیشینه 150 وات می رباشد. و همچنین فرکانس این ترانزیستور 2 مگا هرتز با دمای کاری منفی 50 درجه سانتیگراد تا 150 درجه سانتیگراد می باشد. و پکیج TO-3 با نوع نصب بصورت پایه ای یا DIP می باشد.

ترانزیستورهای BJT یا اتصال دوقطبی از اتصال سه پیوند نیمه هادی با یکدیگر تشکیل می‌شوند. و در این اتصالات لایه وسط را بیس(B) و دو لایه کنار را امیتر(E) و کلکتور(C) می نامند. و نوع نیمه هادی در لایه بیس با نوع نیمه هادی در لایه امیتر و لایه کلکتور متفاوت می باشند. ترانزیستور D880

همچنین میزان ناخالصی موجود در لایه ی امیتر بیشتر از دو لایه دیگر می باشد. و در عرض لایه بیس کمتر از دو لایه امیتر و کلکتور و همچنین لایه کلکتور بخاطر دفع حرارت بیشتر از سایر لایه‌ها می باشد. ترانزیستور D880

در ترانزیستور دو قطبی لایه امیتر بخاطر نشر بارهای مثبت و منفی از دولایه بیس و کلکتور ناخالصی بیشتری دارد که باعث می شود بار الکتریکی از امیتر به ‌سوی لایه کلکتور که ناخالصی کمتری نسبت به دو لایه دیگر دارد حرکت داده ‌شوند. ترانزیستور D880 نوع NPN

bjt بای پلار به دو دسته تقسیم می شوند: NPN و PNP

ترانزیستور اثر میدانی یا FET نیز از اتصال سه لایه نیمه هادی تشکیل می‌شوند. و با این تفاوت که لایه وسط که به عنوان گیت شناخته می شود. از دو لایه دیگر مجزا می باشد. بدین معنی که به صورت ایزوله ساخته می شود. و از طریق ایجاد میدان با لایه های دیگر ارتباط برقرار می کند. که این نوع طراحی باعث کاهش جریان گیت نیز می شود.

 FET به دو دسته تقسیم می شوند: نوع n یا N-Type و نوع p یا P-Type

مشخصات ترانزیستور D880 نوع NPN

• نوع بسته‌بندی: TO-220
• نوع ترانزیستور: NPN
• و حداکثر جریان کلکتور (IC): 3 آمپر
• حداکثر ولتاژ کلکتور-انباشته (VCE): 60 ولت
• و حداکثر ولتاژ کلکتور-مبنا (VCB): 60 ولت
• حداکثر ولتاژ امیتر-مبنا (VEBO): 7 ولت
• و حداکثر توان کلکتور (Pc): 30 وات
• حداکثر فرکانس انتقال (fT): 3 مگاهرتز
• گین حالت مستقیم (hFE): از 60 تا 300 (با مقادیر حداقل و حداکثر)
• دمای حداکثر و حداقل ذخیره‌سازی و عملکرد: از -55 تا +150 درجه سانتی‌گراد
• 022-01-13