ترانزیستور FUJI MOSFET FMH23N50E

ترانزیستور FUJI MOSFET FMH23N50E ترانزیستور ماسفت در واقع مخفف کلمات metal–oxide semiconductor field effect transistor می باشد. معروف ترین ترانزیستور اثر میدان در مدارهای الکترونیک آنالوگ و دیجیتال است. اصطلاح «اکسید-فلز» را نباید به اشتباه «اکسیدِ فلز» خواند. دلیل این نام گذاری این است که در ساختمان این ترانزیستور، یک لایۀ اکسیدِ سیلیسیوم (SiO2) در زیر اتصال فلزیِ پایۀ گِیت قرار می گیرد.

در مدارهای الکترونیکی، ترانزیستور اثر میدان (FET) را با سه پایه به نام های گِیت (Gate)، دِرِین (Drain)، و سورس (Source) در نظر می گیرند. در این ترانزیستور، گیت (پایهٔ کنترلی)، جریانی نمی کشد، و چنان که از نام ترانزیستور پیداست، تنها با اعمال ولتاژ و ایجاد میدان الکتریکی درون نیمه رسانا، جریان عبوری از FET کنترل می شود. از همین روی، وقتی گیت به عنوان ورودی این ترانزیستور در نظر گرفته می شود، هیچ اثر بارگذاری بر روی طبقات قبلی خود در مدار نمی گذارد و ترانزیستور در این حالت امپدانس ورودی بسیار بالایی دارد. عمده تفاوت ماس فِت با ترانزیستور JFET در این است که گیت ترانزیستورهای ماس فِت توسط لایه ای از اکسید سیلیسیم (SiO2) از کانال مجزا می شود. به این دلیل به ماس فِت ها، فِت با گیت مجزا (به انگلیسی: IGFET, Insulated Gate FET) نیز گفته می شود.

ترانزیستور FUJI MOSFET FMH23N50E ژاپن

ترانزیستور FUJI MOSFET FMH23N50E عمدتا در مدارهای تقویت کننده سیگنال کوچک مانند BJT یا IGBT استفاده می‌شود. هنگامی که ترانزیستور هدایت پایین جریان الکتریکی را با مدار تقویت کننده ترکیب می‌کند. تبدیل به یک سوئیچ حالت جامد ایده آل می‌شود که برای بسیاری از کاربردهای الکترونیک قدرت مناسب است. با فعال و غیرفعال کردن ترمینال گیت به سادگی روشن و خاموش می‌شود. یک سیگنال ولتاژ ثابت + Ve i / p در سراسر ترمینال‌های گیت و امیتر، دستگاه را در حالت فعال نگه می‌دارد. در حالی که قصد سیگنال ورودی باعث می‌شود که آن را خاموش مشابه با BJT یا MOSFET کند.

انواعMOSFET

آی جی بی تی ها بر این اساس که لایه +n بافر را داشته باشند یا نداشته باشند، به دو دسته اصلی تقسیم می شوند. آنهایی که لایه +n بافر را دارند به نام P-MOSFET خوانده می شوند و آن دسته ای که لایه +n بافر را ندارند به نام N- MOSFET خوانده می شوند. البته براساس مشخصه هایی که دارند. PT-IGBT و NPT- IGBT را به به عنوان آی جی بی تی های متقارن و نامتقارن هم نام گذاری می کنند. آی جی بی تی های متقارن بیشتر در مدارهای AC و آی جی بی تی های نامتقارن در مدارهای DC به این علت که نیاز به اعمال ولتاژ در جهت مخالف ندارند، کاربرد دارند.

تست IGBT :

تست سرد و تست گرم

برای انجام تست گرم احتیاج به تجهیزات پیشرفته و گران قیمت است. و  به افراد متخصص و کارآزموده در این زمینه نیاز دارد، در این جا ما فقط به بررسی تست سرد آی جی بی تی می پردازیم. اگر هنگام استفاده با آی جی بی تی خود به مشکل برخوردید، با انجام این تست ها می توانید از کارکرد درست این قطعه مطمئن شوید.