ترانزیستور ORIGINAL IGBT FGH60N60SMD 

ترانزیستور ORIGINAL IGBT FGH60N60SMD 

۷۲۲,۱۰۰ تومان

موجود در انبار

کد محصول: 03-01-7

  • مکزیمم جریان لحظه ای کلکتور : 180 آمپر
  • جریان کلکتور پیوسته در 25 درجه سانتی‌گراد: 120 آمپر
  • توان اتلافی: 600 وات

جریان لحظه ای 180A جریان دائم در 25ٌ 120A

ترانزیستور FGH60N60SMD ORIGINAL 600W

توضیحات

ترانزیستور ORIGINAL IGBT FGH60N60SMD

ترانزیستور ORIGINAL IGBT FGH60N60SMD . آی جی بی تی در واقع مخفف کلمات Insulated Gate Bipolar Transistor می باشد. ترجمه تحت الفظی آن ترانزیستور دو قطبی با گیت عایقی می باشد. در واقع ترانزیستور دو قطبی با گیت عایق می شود، گه این قطعه ای نیمه رسانا می باشد.

که عملکردی ما بین ترانزیستور پیوندی دو قطبی (BJT) و ترانزیستور اثر میدان (MOSFET) می باشد.بطوریکه مزیت های ترکیبی از این دو قطعه را دارا می باشد. 

انواع ترانزیستور ORIGINAL IGBT FGH60N60SMD

آی جی بی تی بر این اساس که لایه +n دارای بافر می باشد، به دو دسته اصلی تقسیم می شود. آنهایی که لایه +n بافر را دارند به نام PT-IGBT خوانده می شوند. و آن دسته ای که لایه +n بافر را ندارند به نام NPT- IGBT خوانده می شوند. البته براساس مشخصه هایی که دارند، PT-IGBT و NPT- IGBT را به به عنوان آی جی بی تی های متقارن و نامتقارن هم نام گذاری می کنند. آی جی بی تی های متقارن بیشتر در مدارهای AC و آی جی بی تی های نامتقارن در مدارهای DC به این علت که نیاز به اعمال ولتاژ در جهت مخالف ندارند، کاربرد دارند.
تست ترانزیستور ORIGINAL IGBT FGH60N60SMD :

تست سرد و تست گرم

برای انجام تست گرم احتیاج به تجهیزات پیشرفته و گران قیمت است. و  به افراد متخصص و کارآزموده در این زمینه نیاز دارد، در این جا ما فقط به بررسی تست سرد آی جی بی تی می پردازیم. اگر هنگام استفاده با آی جی بی تی خود به مشکل برخوردید، با انجام این تست ها می توانید از کارکرد درست این قطعه مطمئن می شوید.
1- تست دیودی ترانزیستور ORIGINAL IGBT FGH60N60SMD :
 
در این حالت دیودهای داخل آی جی بی تی تست می گردد. برای اطمینان از صحت عملکرد دیودها ولتاز شکست آنها اندازه گیری می شود. به این صورت که سر مثبت پروب  به سر منفی دیود و سر منفی پروب به سر مثبت دیود قرار می گیرد. و اهم متر در حالت تست دیود می باشد. در این حالت باید عددی در حدود ۴۵۸ میلی ولت نشان بدهد.چنانچه عدد صفر یا بینهایت داشته باشیم دیودها سالم نیستند.

2- تست خازنی گیت امیتر IGBT:

این تست توسط خازن سنج انجام میشود.ظرفیت خازنی بین گیت و امیتر ترانزیستورها  بسته به آمپر آی جی بی تی عدد مشخصی  را نشان میدهد. به عنوان مثال برای آی جی بی تی ۵۰ آمپر ظرفیت ۶ نانو فاراد نشان داده می شود. این ظرفیت در برندهای مختلف متفاوت است ولی در یک محدوده است. مثلا برای برند فوجی ۵۰ آمپری ظرفیت ۶ نانو داریم در حالیکه برای برند اینفینیون ۵۰ آمپری ۵ نانو فاراد قابل قبول است.

3- تست مقاومت گیت امیتر ترانزیستور FGH60N60SMD:

در این حالت مقاومت بین گیت و امیتر ترانزیستورها توسط اهم متر اندازه گیری می شود. که عددی  بین چندین مگاه اهم تا بینهایت را نشان می دهد. چنانچه عددی پایین تر از مقدار معقول نشان می دهد. که پایه های گیت و امیتر دارای اتصالی  می باشد. که در نهایت آی جی بی تی درست کار نمی کند.
مشخصات ترانزیستور ORIGINAL IGBT FGH60N60SMD :
  • فناوری ساخت: Si
  • نوع قطعه: IGBT تک‌کاناله
  • حداکثر ولتاژ کلکتور-امیتر VCEO: 600 ولت
  • جریان کلکتور لحظه ای در 25 درجه سانتی‌گراد: 180 آمپر
  • جریان کلکتور پیوسته در 25 درجه سانتی‌گراد: 120 آمپر
  • جریان کلکتور پیوسته در 100 درجه سانتی‌گراد: 60 آمپر
  • ولتاژ اشباع کلکتور-امیتر: 1.9 ولت
  • حداکثر ولتاژ گیت-امیتر: 20- تا 20+ ولت
  • توان اتلافی: 600 وات
  • حداقل دمای کاری: 55- درجه سانتی‌گراد
  • حداکثر دمای کاری: 175+ درجه سانتی‌گراد
  • حداکثر دمای لحظه ای تا 5ثانیه: 300+ درجه سانتی‌گراد
  • نوع نصب: Through Hole
  • 03-01-7
  • پکیج: TO-247
 

مشخصات

  • گارانتی: ضمانت اصالت کالا