16KBIT SRAM مدل HY6116ALP
16KBIT SRAM مدل HY6116ALP این تراشه یکی از آی سیهای اصلی برد آموزشی Z80 می باشد.حافظه یکی از مهمترین عناصر سخت افزاری جهت نگهداری اطلاعات می باشد. بدین منظور از حافظه های مختلف و با فنآوری های متفاوتی استفاده می گردد . حافظه های رم ایستا ( STATIC RAM ) یا(SRAM) و رم پویا ( DYNAMIC RAM ) یا (DRAM) دو نمونه متدوال در این زمینه می باشند. که عمدتاً کامپیوتر دارای هر دو حافظه static و dynamic باشد . از حافظه های فوق با توجه به تفاوت مشهود قیمت آنان با اهداف متفاوتی اسفاده می گردد . با بررسی نحوه عملکرد هر یک از تراشه های حافظه static و dynamic. می توان به تفاوت های موجود و علت اختلاف قیمت آنان بیشتر واقف گردید .
Dynamic RAM(DRAM):
داینامیک رم متداولترین نوع حافظه در حال حاضر محسوب می گردد . درون یک تراشه dynamic RAM از میلیونها سلول حافظه تشکیل می شود.هر سلول حافظه صرفا” یک بیت اطلاعات را در خود ذخیره نموده و از یک ترانزیستور و یک خازن در بیس ترانزیستور(ترانزیستور با گیت شناور) ساخته می شود. به منظور ذخیره میلیون ها سلول حافظه بر روی یک تراشه از تعداد انبوهی ترانزیستور کوچک و خازن استفاده می گردد . خازن مسئولیت نگهداری صفر و یا یک را برعهده داشته و به دلیل پایین بودن ظرفیت خازن ترانزیستور به منزله یک تقویت کننده عمل می کند. خازن را می توان به منزله یک منبع خیلی کوچک در نظر گرفت که قادر به ذخیره الکترون ها می باشد . به منظور ذخیره سازی مقدار یک در حافظه می بایست خازن شارژ گردد و برای ذخیره مقدار صفر. این خازن می بایست تخلیه گردد . مهمترین مشکل خازن ها وجود نشتی و یا لیکیج در آن است که باعث می گردد پس از گذشت مدت زمانی مشخص خالی گردد . در مدت زمانی کمتر از چند میلی ثانیه یک خازن شارژ یا دشاژ می گردد . به منظور نگهداری وضعیت خازن و ذخیره سازی مقدار یک قبل از تخلیه خازن می بایست پردازنده و یا کنترل کننده حافظه خازن را شارژ نمایند . بدین منظور کنترل کننده حافظه حافظه را خوانده و آن را مجددا” بازنویسی می نماید . فرآیند فوق که به احیاء یا Refresh معروف است به صورت اتوماتیک در هر ثانیه هزاران مرتبه تکرار می گردد . علت نامگذاری این نوع از حافظه ها به dynamic به مفهوم فرآیند Refresh برمی گردد. حافظه های dynamic می بایست به صورت پویا بازخوانی و بازنویسی گردند و گرنه تمامی اطلاعات موجود در آنان از بین خواهد رفت. علاوه بر موارد فوق عملیات Refresh زمان خاص خود را داشته و باعث می گردد سرعت آنان کاهش یابد. هچنین یک پایه cpu را باید به این عمل احیاء تخصیص داد.
Static RAM (SRAM):
از یک تکنولوژی کاملا” متفاوت با dynamic RAM استفاده می نماید. در حافظه های static از یک نوع فلیپ فلاپ که هر یک از بیت های حافظه را در خود نگهداری می دارد استفاده می گردد. یک فلیپ فلاپ برای هر سلول حافظه از چهار الی شش ترانزیستور استفاده می نماید . در این نوع حافظه ضرورتی به عملیات Refreshing نبوده و بدیهی است که سرعت آنان در مقایسه با حافظه های dynamic بمراتب بیشتر می باشد. به همین خاطر کش مموری و رجسترها از این نوع حافظه ها ساخته می شوند.با توجه به این که این نوع از حافظه ها دارای بخش ها و عناصر بیشتری می باشند. یک سلول حافظه Static فضای بمراتب بیشتری را نسبت به یک سلول حافظه dynamic بر روی تراشه اشغال خواهد کرد. بدیهی است که قیمت آنان نیز افزایش خواهد یافت ( میزان حافظه قابل استفاده بر روی هر تراشه ) .
با توجه به موارد اشاره شده. حافظه های Static سریع و گرانقیمت و حافظه های dynamic ارزان و کند می باشند . از حافظه های Static به منظور ایجاد حافظه های Cache(حافظه پنهان) ریزپردازنده ( ثبات ها ) و از حافظه های dynamic به منظور فضای ذخیره سازی اصلی در سیستم ها استفاده می گردد .
FEATURES
High speed-85/100/120/150 ns (max)
Low power consumption -Operating : 150 mW (typ.) -standby (CMOS) : 0.5 μW (typ.)
Signale 5V± 10% power supply
Battery backup (L-part) -2.0V (min) data retention
Fully static operation -No clock or refersh required
TTL compatible inputs and outputs
Tri-state output
standard pin configuration -24 pin 600 mil PDIP
