16KBIT SRAM مدل HY6116ALP اوریجینال

توضیحات

16KBIT SRAM مدل HY6116ALP

16KBIT SRAM مدل HY6116ALP این تراشه یکی از آی سیهای اصلی برد آموزشی Z80 می باشد.حافظه يکی از مهمترين عناصر سخت افزاری جهت نگهداری اطلاعات می باشد. بدين منظور از حافظه های مختلف و با فنآوری های متفاوتی استفاده می گردد . حافظه های رم ايستا  (  STATIC RAM  ) یا(SRAM) و  رم پويا ( DYNAMIC RAM  ) یا (DRAM)  دو نمونه متدوال در اين زمينه می باشند. که عمدتاً کامپيوتر دارای هر دو حافظه static و  dynamic باشد . از حافظه های فوق با توجه به تفاوت مشهود قيمت آنان با اهداف متفاوتی اسفاده می گردد . با بررسی نحوه عملکرد هر يک از تراشه های حافظه static و dynamic. می توان به تفاوت های موجود و علت اختلاف قيمت آنان بيشتر واقف گرديد .

Dynamic RAM(DRAM):

 داینامیک رم متداولترين نوع حافظه در حال حاضر محسوب می گردد . درون يک تراشه dynamic RAM  از میلیونها سلول حافظه تشکیل می شود.هر سلول حافظه صرفا” يک بيت اطلاعات را در خود ذخيره نموده و از يک ترانزيستور و يک خازن در بیس ترانزیستور(ترانزیستور با گیت شناور) ساخته می شود. به منظور ذخيره ميليون ها سلول حافظه بر روی يک تراشه از تعداد انبوهی ترانزيستور کوچک و خازن استفاده می گردد . خازن مسئوليت نگهداری صفر و يا يک را برعهده داشته و به دلیل پایین بودن ظرفیت خازن  ترانزيستور به منزله يک تقویت کننده  عمل می کند. خازن را می توان به منزله يک منبع خیلی کوچک در نظر گرفت که قادر به ذخيره الکترون ها می باشد . به منظور ذخيره سازی مقدار يک در حافظه  می بايست خازن شارژ گردد و برای ذخيره مقدار صفر. اين خازن می بايست تخلیه  گردد . مهمترين مشکل خازن ها  وجود نشتی و يا لیکیج در آن است که باعث می گردد پس از گذشت مدت زمانی مشخص  خالی گردد . در مدت زمانی کمتر از چند ميلی ثانيه يک خازن شارژ یا دشاژ می گردد . به منظور نگهداری وضعيت خازن و ذخيره سازی مقدار يک قبل از تخليه خازن  می بايست پردازنده و يا کنترل کننده حافظه  خازن را شارژ نمايند . بدين منظور کنترل کننده حافظه حافظه را خوانده و آن را مجددا” بازنويسی می نمايد . فرآيند فوق که به احیاء یا Refresh معروف است به صورت اتوماتيک در هر ثانيه  هزاران مرتبه تکرار می گردد . علت نامگذاری اين نوع از حافظه ها به dynamic به مفهوم فرآيند Refresh برمی گردد. حافظه های dynamic می بايست به صورت پويا بازخوانی و بازنويسی گردند و گرنه تمامی اطلاعات موجود در آنان از بين خواهد رفت. علاوه بر موارد فوق عمليات Refresh زمان خاص خود را داشته و باعث می گردد سرعت آنان  کاهش يابد. هچنین یک پایه cpu را باید به این عمل احیاء تخصیص داد.

 Static RAM  (SRAM):

از يک تکنولوژی کاملا” متفاوت با dynamic RAM  استفاده می نمايد.  در حافظه های static از يک نوع فليپ فلاپ  که هر يک از بيت های حافظه را در خود نگهداری می دارد استفاده می گردد. يک فليپ فلاپ برای هر سلول حافظه از چهار الی شش ترانزيستور استفاده می نمايد . در اين نوع حافظه  ضرورتی به عمليات Refreshing  نبوده و بديهی است که سرعت آنان در مقايسه با حافظه های dynamic بمراتب بيشتر می باشد. به همین خاطر کش مموری و رجسترها از این نوع حافظه ها ساخته می شوند.با توجه به اين که اين نوع از حافظه ها دارای بخش ها و عناصر بيشتری می باشند. يک سلول حافظه Static فضای بمراتب بيشتری را نسبت به يک سلول حافظه dynamic  بر روی تراشه اشغال خواهد کرد. بديهی است که قيمت آنان نيز افزايش خواهد يافت ( ميزان حافظه قابل استفاده بر روی هر تراشه ) .

با توجه به موارد اشاره شده. حافظه های Static سريع و گرانقيمت و حافظه های  dynamic ارزان و کند می باشند . از حافظه های Static به منظور ايجاد حافظه های Cache(حافظه پنهان) ريزپردازنده ( ثبات ها ) و از حافظه های dynamic به منظور فضای ذخيره سازی اصلی در سيستم ها استفاده می گردد .

FEATURES

High speed-85/100/120/150 ns (max)

Low power consumption  -Operating : 150 mW (typ.)  -standby (CMOS) : 0.5 μW (typ.)

Signale 5V± 10% power supply

Battery backup (L-part)  -2.0V (min) data retention

Fully static operation  -No clock or refersh required

TTL compatible inputs and outputs

Tri-state output

standard pin configuration  -24 pin 600 mil PDIP