ترانزیستور ماسفت APQ04SN60CB نوع N-Channel پکیج TO-251 تایوانی

قیمت اصلی: ۴۸,۵۰۰ تومان بود.قیمت فعلی: ۳۳,۰۰۰ تومان.

موجود در انبار

کد محصول: 06-14-3

ساخت تایوان (NOP). پکیج TO-251 **این قطعه کاملا اورجینال می باشد. بنا به سفارش بدون مارک، کد و نوشته روی بدنه تولید شده.

ولتاژ درین،سورس:600V . جریان پیوسته درین: 4A . حداکثر توان: 100W

جریان لحظه ای: 16A . محدوده دمای کاری: -55 تا +150°C

ولتاژ گیت سورس: ±30V

توضیحات

ترانزیستور ماسفت APQ04SN60CB نوع N-Channel

ترانزیستور ماسفت APQ04SN60CB نوع N-Channel مبتنی بر تکنولوژی TrenchFET می باشد. که برای خیلی از کاربردها می توان از آن بهره برد. مانند دایور موتو های کنترل از راه دور . و یا مبدل‌های DC/DC، کلیدهای بار و تقویت‌کننده‌ها مورد استفاده می باشد. و این ماسفت با داشتن مقاومت بسیار پایین در حالت روشن (حدود 0.055Ω در 4.5V) و ظرفیت بار گیت پایین، سرعت کلیدزنی بالایی که دارد.ترانزیستور ماسفت APQ04SN60CB N-Channel و مصرف توان کمی ایجاد می‌کند. پکیج SOT-23 آن مناسب برای مونتاژ سطحی (SMD) می باشد. و فضای کمی روی برد اشغال می‌کند. توانایی عبور جریان تا 3.6 آمپر و ولتاژ تخلیه-مبدأ 30 ولت از جمله ویژگی‌های برجسته این قطعه می باشد. که آن را برای مدارهای تغذیه، باتری و مدیریت توان ایده‌آل می‌سازد. ***این قطعه کاملا اورجینال می باشد. و به سفارش کارخانه بدون مارک، کد و نوشته روی بدنه تولیدمی شود.

ترانزیستور ماسفت APQ04SN60CB

ترانزیستور ماسفت در واقع مخفف کلمات metal–oxide semiconductor field effect transistor می باشد. و معروف ترین ترانزیستور اثر میدان در مدارهای الکترونیک آنالوگ و دیجیتال است. اصطلاح «اکسید-فلز» را نباید به اشتباه «اکسیدِ فلز» خواند. و دلیل این نام گذاری این است. که در ساختمان این ترانزیستور، یک لایۀ اکسیدِ سیلیسیوم (SiO2) در زیر اتصال فلزیِ پایۀ گِیت قرار می گیرد. در مدارهای الکترونیکی، ترانزیستور اثر میدان (FET) را با سه پایه به نام های گِیت (Gate)، دِرِین (Drain)، و سورس (Source) در نظر می گیرند. و در این ترانزیستور، گیت (پایهٔ کنترلی)، جریانی نمی کشد. و چنان که از نام ترانزیستور پیداست. تنها با اعمال ولتاژ و ایجاد میدان الکتریکی درون نیمه رسانا، جریان عبوری از FET کنترل می شود. ترانزیستور ماسفت APQ04SN60CB از همین روی، وقتی گیت به عنوان ورودی این ترانزیستور ماسفت در نظر گرفته می شود. و هیچ اثر بارگذاری بر روی طبقات قبلی خود در مدار نمی گذارد. و ترانزیستور در این حالت امپدانس ورودی بسیار بالایی دارد. و عمده تفاوت ماس فِت با ترانزیستور JFET در این است. که گیت ترانزیستورهای ماس فِت توسط لایه ای از اکسید سیلیسیم (SiO2) از کانال مجزا می شود. و به این دلیل به ماس فِت ها، فِت با گیت مجزا (به انگلیسی: IGFET, Insulated Gate FET) نیز گفته می شود.