ترانزیستور ماسفت FQP50N06 کانالN

توضیحات

ترانزیستور ماسفت FQP50N06 کانالN

ترانزیستور ماسفت FQP50N06 کانالN با ولتاژ کاری حداکثر 55 ولت، جریان کاری حداکثر 49 آمپر و قدرت 150 وات می باشد. این ماسفت در پکیج TO-220 عرضه می‌شود. این ترانزیستور ماسف از کیفیت خوبی برخوردار است و به طور گسترده در صنایع الکترونیک قدرت، و قدرت بالا، تغذیه سوئیچینگ، درایو موتور و دستگاه‌های الکترونیکی دیگر استفاده می‌شود.

ترانزیستور ماسفت در واقع مخفف کلمات metal–oxide semiconductor field effect transistor می باشد. و معروف ترین ترانزیستور اثر میدان در مدارهای الکترونیک آنالوگ و دیجیتال است. اصطلاح «اکسید-فلز» را نباید به اشتباه «اکسیدِ فلز» خواند.

و دلیل این نام گذاری این است. که در ساختمان این ترانزیستور، یک لایۀ اکسیدِ سیلیسیوم (SiO2) در زیر اتصال فلزیِ پایۀ گِیت قرار می گیرد.

در مدارهای الکترونیکی، ترانزیستور اثر میدان (FET) را با سه پایه به نام های گِیت (Gate)، دِرِین (Drain)، و سورس (Source) در نظر می گیرند. در این ترانزیستور، گیت (پایهٔ کنترلی)، جریانی نمی کشد. و چنان که از نام ترانزیستور پیداست، تنها با اعمال ولتاژ و ایجاد میدان الکتریکی درون نیمه رسانا، جریان عبوری از FET کنترل می شود.

و از همین روی، وقتی گیت به عنوان ورودی این ترانزیستور ماسفت در نظر گرفته می شود، هیچ اثر بارگذاری بر روی طبقات قبلی خود در مدار نمی گذارد و ترانزیستور در این حالت امپدانس ورودی بسیار بالایی دارد. و عمده تفاوت ماس فِت با ترانزیستور JFET در این است.

که گیت ترانزیستورهای ماس فِت توسط لایه ای از اکسید سیلیسیم (SiO2) از کانال مجزا می شود. به این دلیل به ماس فِت ها، فِت با گیت مجزا (به انگلیسی: IGFET, Insulated Gate FET) نیز گفته می شود.

این ترانزیستور ماسفت MOSFET FQP50N06 عمدتا در مدارهای تقویت کننده سیگنال کوچک مانند BJT یا IGBT استفاده می‌شود. و هنگامی که ترانزیستور هدایت پایین جریان الکتریکی را با مدار تقویت کننده ترکیب می‌کند. تبدیل به یک سوئیچ حالت جامد ایده آل می‌شود.

که برای بسیاری از کاربردهای الکترونیک قدرت مناسب است. با فعال و غیرفعال کردن ترمینال گیت به سادگی روشن و خاموش می‌شود. و یک سیگنال ولتاژ ثابت + Ve i / p در سراسر ترمینال‌های گیت و امیتر، دستگاه را در حالت فعال نگه می‌دارد. در حالی که قصد سیگنال ورودی باعث می‌شود که آن را خاموش مشابه باترانزیستور BJT یا ترانزیستور ماسفت MOSFET کند.