ترانزیستور INFINEON IGBT K30T60/IKW30N60T
ترانزیستور INFINEON IGBT K30T60/IKW30N60T. آی جی بی تی در واقع مخفف کلمات Insulated Gate Bipolar Transistor می باشد. ترجمه تحت الفظی آن ترانزیستور دو قطبی با گیت عایقی می باشد. در واقع ترانزیستور دو قطبی با گیت عایق می شود، قطعه ای نیمه رسانا می باشد. که عملکردی ما بین ترانزیستور پیوندی دو قطبی (BJT) و ترانزیستور اثر میدان (MOSFET) دارد.بطوریکه مزیت های ترکیبی از این دو قطعه را دارا می باشد. که از محبوب ترین و متداول ترین قطعه های تقویتی و سوئیچینگ در حوزه الکترونیک و قدرت، یکی ترانزیستور تک قطبی و دیگری اثر میدانی ها هستند.
آی جی بی تی IGBT عمدتا در مدارهای تقویت کننده سیگنال کوچک مانند BJT یا MOSFET استفاده میشود. هنگامی که ترانزیستور هدایت پایین جریان الکتریکی را با مدار تقویت کننده ترکیب می‌کند. تبدیل به یک سوئیچ حالت جامد ایده آل میشود. بطوریکه برای بسیاری از کاربردهای الکترونیک قدرت مناسب می باشد. با فعال و غیرفعال کردن ترمینال گیت به سادگی روشن و خاموش میشود. یک سیگنال ولتاژ ثابت + Ve i / p در سراسر ترمینال‌های گیت و امیتر، دستگاه را در حالت فعال نگه می‌دارد. در حالی که قصد سیگنال ورودی باعث میشود که آن را خاموش مشابه با BJT یا MOSFET کند.
آی جی بی تی ها بر این اساس که لایه +n بافر را داشته باشند یا نداشته باشند، به دو دسته اصلی تقسیم می شوند. آنهایی که لایه +n بافر را دارند به نام PT-IGBT خوانده می شوند و آن دسته ای که لایه +n بافر را ندارند به نام NPT- IGBT خوانده می شوند. البته براساس مشخصه هایی که دارند، PT-IGBT و NPT- IGBT را به به عنوان آی جی بی تی های متقارن و نامتقارن هم نام گذاری می کنند. آی جی بی تی های متقارن بیشتر در مدارهای AC و آی جی بی تی های نامتقارن در مدارهای DC به این علت که نیاز به اعمال ولتاژ در جهت مخالف ندارند، کاربرد دارند.
تست IGBT :
تست سرد و تست گرم
برای انجام تست گرم احتیاج به تجهیزات پیشرفته و گران قیمت است. و به افراد متخصص و کارآزموده در این زمینه نیاز دارد، در این جا ما فقط به بررسی تست سرد آی جی بی تی می پردازیم. اگر هنگام استفاده با آی جی بی تی خود به مشکل برخوردید، با انجام این تست ها می توانید از کارکرد درست این قطعه مطمئن بشوید.
