ترانزیستور MJE13009 پکیج TO-220

ترانزیستور MJE13009 پکیج TO-220 جزو گروه نیمه هادیهای BJT یا ترانزیستور تک پیوندی، طبقه بندی می گردد. این محصول ساخت برند شرکت on Semiconductor می باشد. نیمه هادی MJE13009 از نوع NPN با جریان حداکثر کلکتور 12 آمپر و ولتاژ شکست کلکتور- امیتر 600 ولت می باشد. ولتاژ اشباع کلکتور- امیتر 5 ولت و جریان بیس 2 آمپر می شود.  جریان کلکتور 12 آمپر می باشد. جریان شکست کلکتور آن 10 میلی آمپر و گین جریان DC 8 در جریان کلکتور 5 آمپر قابل تحمل می باشد.

ولتاژ کلکتور – امیتر 5 ولت با توان بیشینه 100 وات می باشد. فرکانس این ترانزیستور 4 مگا هرتز با دمای کاری منفی 50 درجه سانتیگراد تا 200 درجه سانتیگراد است . و پکیج TO-220 با نوع نصب بصورت پایه ای یا DIP می باشد.

نوع بای پلار(BJT)

ترانزیستورهای BJT یا اتصال دوقطبی از اتصال سه پیوند نیمه هادی با یکدیگر تشکیل می‌شوند. در این اتصالات لایه وسط را بیس(B) و دو لایه کنار را امیتر(E) و کلکتور(C) می نامند. ناخالصی هایی که در لایه بیس استفاده می شو با مقدار ناخالصی که در لایه امیتر و لایه کلکتور متفاوت هستند. همچنین میزان ناخالصی موجود در لایه ی امیتر بیشتر از دو لایه دیگر می باشد و عرض لایه بیس کمتر از دو لایه امیتر و کلکتور و عرض لایه کلکتور بخاطر دفع حرارت بیشتر از سایر لایه‌ها می باشد.

در نیمه هادی دو قطبی لایه امیتر بخاطر نشر بارهای مثبت و منفی از دولایه بیس و کلکتور ناخالصی بیشتری خواهد داشت. که باعث می شود بار الکتریکی از امیتر به ‌سوی لایه کلکتور که ناخالصی کمتری نسبت به دو لایه دیگر دارد حرکت نماید.

نیمه های BJT به دو دسته تقسیم می شوند: NPN و PNP

ترانزیستور اثر میدانی یا FET

 از اتصال سه لایه نیمه هادی تشکیل می‌شوند. با این تفاوت که لایه وسط که به عنوان گیت شناخته می شود از دو لایه دیگر مجزا می باشد. بدین معنی که به صورت ایزوله ساخته می شود. و از طریق ایجاد میدان با لایه های دیگر ارتباط برقرار می کند. که این نوع طراحی باعث کاهش جریان گیت نیز می گردد.

نوع FET به دو دسته تقسیم می شوند: نوع n یا N-Type و نوع p یا P-Type

نوعی دیگر از تراتزیستور ها به نام MOSFET (متال اکسید سیمی کانداکتور) وجود دارد که از خانواده ترانزیستور های اثر میدانی می باشند. و با این تفاوت که گیت MOSFET توسط لایه‌ای از اکسید سیلیسیم (SiO2) از کانال مجزا می شود. به این دلیل به آنها FET با گیت مجزا نیز گفته می شود. ترانزیستورهای  MOSFETبسته به کانالی که در آنها شکل می‌گیرد. که NMOS  یا PMOS نامیده می‌شوند. از ویژگی این ترانزیستور ها می توان به نویز پذیری کم نسبت به FET اشاره نمود.

ترانزیستور فوق از نوع NPN  با ولتاژ قابل تحمل 100 ولت و جریان 12 آمپر در دسترس می باشد.

ویژگیها

پلاریته؛ NPN

ولتاژ کالکتر امیتر:400V

جریان ماکزیمم: 12امپر

توان: 100وات

ضریب گین در پهنای باند: 4مگاهرتز