ترانزیستور قابلمه ای 2N3055

ترانزیستور قابلمه ای 2N3055  جزو گروه نیمه هادیهای BJT یا ترانزیستور تک پیوندی، طبقه بندی می گردد. این محصول ساخت برند شرکت on Semiconductor می باشد. ترانزیستور 2N3773 از نوع NPN با جریان بیشینه کلکتور 16 آمپر و ولتاژ شکست کلکتور- امیتر 140 ولت می باشد. دیگر اینکه ولتاژ اشباع کلکتور- امیتر 4 ولت در جریان بیس 3.2 آمپر و جریان کلکتور 16 آمپر می باشد.

جریان شکست کلکتور آن 10 میلی آمپر، گین جریان DC 15 در جریان کلکتور 8 آمپر و ولتاژ کلکتور – امیتر 4 ولت با توان بیشینه 150 وات می رباشد. همچنین فرکانس این ترانزیستور 2 مگا هرتز با دمای کاری منفی 50 درجه سانتیگراد تا 150 درجه سانتیگراد می باشد. و پکیج TO-3 با نوع نصب بصورت پایه ای یا DIP می باشد.

ترانزیستورهای BJT یا اتصال دوقطبی از اتصال سه پیوند نیمه هادی با یکدیگر تشکیل می‌شوند. در این اتصالات لایه وسط را بیس(B) و دو لایه کنار را امیتر(E) و کلکتور(C) می نامند. نوع نیمه هادی در لایه بیس با نوع نیمه هادی در لایه امیتر و لایه کلکتور متفاوت می باشند. همچنین میزان ناخالصی موجود در لایه ی امیتر بیشتر از دو لایه دیگر می باشد. و در عرض لایه بیس کمتر از دو لایه امیتر و کلکتور و همچنین لایه کلکتور بخاطر دفع حرارت بیشتر از سایر لایه‌ها می باشد.

در ترانزیستور دو قطبی لایه امیتر بخاطر نشر بارهای مثبت و منفی از دولایه بیس و کلکتور ناخالصی بیشتری دارد که باعث می شود بار الکتریکی از امیتر به ‌سوی لایه کلکتور که ناخالصی کمتری نسبت به دو لایه دیگر دارد حرکت داده ‌شوند.ترانزیستور NPN POWER 2N3055

ترانزیستور بای پلار به دو دسته تقسیم می شوند: NPN و PNP

ترانزیستور اثر میدانی یا FET نیز از اتصال سه لایه نیمه هادی تشکیل می‌شوند با این تفاوت که لایه وسط که به عنوان گیت شناخته می شود. از دو لایه دیگر مجزا می باشد. بدین معنی که به صورت ایزوله ساخته می شود. و از طریق ایجاد میدان با لایه های دیگر ارتباط برقرار می کند. که این نوع طراحی باعث کاهش جریان گیت نیز می شود.

 FET به دو دسته تقسیم می شوند: نوع n یا N-Type و نوع p یا P-Type

1. Features
   • Pb−Free Packages are Available**
   • High Safe Operating Area (100% Tested) 150 W @ 100 V
   • Completely Characterized for Linear Operation
   • High DC Current Gain and Low Saturation Voltage
   hFE = 15 (Min) @ 8.0 A, 4.0 V
   VCE(sat) = 1.4 V (Max) @ IC = 8.0 A, IB = 0.8 A